DMN65D8LDW-7

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DMN65D8LDW-7概述

DMN65D8LDW-7 编带

MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 60V 180mA 300mW 表面贴装型 SOT-363


得捷:
MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363


立创商城:
2个N沟道 60V 180mA


贸泽:
MOSFET Dual N-Ch 60V 8ohm 5V VGS 170mA


e络盟:
双路场效应管, MOSFET, N沟道, 60 V, 180 mA, 6 ohm, SOT-363, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R


Allied Electronics:
Dual N-Ch Enhancement MOSFET SOT-363


安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R


Newark:
# DIODES INC.  DMN65D8LDW-7  MOSFET, DUAL N-CH, 60V, SOT363


儒卓力:
**N+N CH MOS+ESD 60V 0,18A SOT363 **


Win Source:
MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363


DeviceMart:
MOSF N CH DUAL 60V 180MA SOT363


DMN65D8LDW-7中文资料参数规格
技术参数

通道数 2

针脚数 6

漏源极电阻 6 Ω

极性 Dual N-Channel

耗散功率 300 mW

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 ±60 V

连续漏极电流Ids 0.2A

上升时间 3.2 ns

输入电容Ciss 22pF @25VVds

额定功率Max 300 mW

下降时间 6.3 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-363-6

外形尺寸

封装 SOT-363-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买DMN65D8LDW-7
型号: DMN65D8LDW-7
制造商: Diodes 美台
描述:DMN65D8LDW-7 编带
替代型号DMN65D8LDW-7
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

DMN65D8LDW-7

Diodes 美台

当前型号

当前型号

2N7002DWA-7

美台

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DMN65D8LDW-7和2N7002DWA-7的区别

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