DMT6015LPS-13概述
MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506
表面贴装型 N 通道 10.6A（Ta），31A（Tc） 1.16W（Ta） PowerDI5060-8
得捷:
MOSFET N-CH 60V PWRDI5060
贸泽:
MOSFET 60V N-Ch Enh FET 16Vgss 1.16W 31A
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 10.6A 8-Pin PowerDI 5060 T/R
DMT6015LPS-13中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 1.16W Ta
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 10.6A
上升时间 7.1 ns
输入电容Ciss 1103pF @30VVds
下降时间 8.6 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.16W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerDI-5060-8
外形尺寸
封装 PowerDI-5060-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free