DMG4800LSD-13

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DMG4800LSD-13概述

DMG4800 系列 双 N-沟道 30 V 8.5 A 16 Mohm Mosfet - SOIC-8

MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 30V 7.5A 1.17W 表面贴装型 8-SO


得捷:
MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO


立创商城:
2个N沟道 30V 7.5A


贸泽:
MOSFET Dual N-Ch 30V VDSS 25 Vgss 42A IDM


e络盟:
双路场效应管, MOSFET, N沟道, 30 V, 7.5 A, 0.012 ohm, SOIC, 表面安装


艾睿:
If you need to either amplify or switch between signals in your design, then Diodes Zetex&s;s DMG4800LSD-13 power MOSFET is for you. Its maximum power dissipation is 1500 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging to allow for quick mounting and safe delivery. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


Allied Electronics:
MOSFET N-Channel 30V 7.5A SOIC8


TME:
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 6A; 1.5W; SO8


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A Automotive 8-Pin SO T/R


Newark:
# DIODES INC.  DMG4800LSD-13  MOSFET, DUAL N-CH, 30V, SOIC-8


儒卓力:
**DUAL 30V 9,8A 16mOhm SO-8 **


Win Source:
MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO


DeviceMart:
MOSFET 2N-CH 30V 8.54A SO8


DMG4800LSD-13中文资料参数规格
技术参数

通道数 2

针脚数 8

漏源极电阻 0.012 Ω

极性 Dual N-Channel

耗散功率 1.5 W

阈值电压 1.6 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 7.5A

上升时间 4.5 ns

输入电容Ciss 798pF @10VVds

额定功率Max 1.17 W

下降时间 8.55 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买DMG4800LSD-13
型号: DMG4800LSD-13
制造商: Diodes 美台
描述:DMG4800 系列 双 N-沟道 30 V 8.5 A 16 Mohm Mosfet - SOIC-8

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