DMT10H014LSS-13

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DMT10H014LSS-13概述

Trans MOSFET N-CH 100V 8.9A 8Pin SO T/R

N-Channel 100V 8.9A Ta 1.2W Ta Surface Mount 8-SO


得捷:
MOSFET NCH 100V 8.9A 8SO


贸泽:
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 8.9A Automotive 8-Pin SO T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 8.9A 8-Pin SO T/R


DMT10H014LSS-13中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 1.67 W

漏源极电压Vds 100 V

上升时间 7 ns

输入电容Ciss 1871pF @50VVds

下降时间 8.1 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.2W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SO-8

外形尺寸

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买DMT10H014LSS-13
型号: DMT10H014LSS-13
制造商: Diodes 美台
描述:Trans MOSFET N-CH 100V 8.9A 8Pin SO T/R

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