DMG2301U 系列 20 V 80 mOhm P 沟道 增强模式 Mosfet - SOT-23-3
表面贴装型 P 通道 20 V 2.5A(Ta) 800mW(Ta) SOT-23-3
得捷:
MOSFET P-CH 20V 2.5A SOT23-3
立创商城:
P沟道 20V 2.5A
贸泽:
MOSFET MOSFET P-CHANNEL SOT-23
艾睿:
Make an effective common source amplifier using this DMG2301U-7 power MOSFET from Diodes Zetex. Its maximum power dissipation is 800 mW. In order to guarantee safe delivery and allow for quick mounting of this component after delivery, it will be enclosed in tape and reel packaging during shipment. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.
Allied Electronics:
P-Channel Enhancement MOSFET SOT-23
安富利:
Trans MOSFET P-CH 20V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
富昌:
DMG2301U 系列 20 V 80 mOhm P 沟道 增强模式 Mosfet - SOT-23-3
Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 20V 2.7A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Verical:
Trans MOSFET P-CH 20V 2.7A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
儒卓力:
**P-CH -20V -2,7A 80mOhm SOT23 **
Win Source:
MOSFET P-CH 20V 2.5A SOT23
通道数 1
漏源极电阻 80 mΩ
极性 P-CH
耗散功率 0.8 W
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20 V
连续漏极电流Ids 2.7A
上升时间 10.3 ns
输入电容Ciss 608pF @6VVds
额定功率Max 800 mW
下降时间 22.2 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 800mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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