DSM80100M-7概述
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 600mW 6Pin SOT-26 T/R
Bipolar BJT Transistor PNP + Diode Isolated 80V 500mA 600mW Surface Mount
得捷:
TRANS PNP 80V 0.5A SOT26
艾睿:
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 600mW 6-Pin SOT-26 T/R
安富利:
ASMCC SOT26 T&R; 3K PNP TRANSISTOR WITH DUAL SERIES SWITCHING DIODE
Verical:
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 600mW 6-Pin SOT-26 T/R
DSM80100M-7中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
耗散功率 0.6 W
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 120 @10mA, 1V
额定功率Max 600 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 600 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-23-6
外形尺寸
封装 SOT-23-6
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99