DMNH10H028SPSQ-13概述
MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI506
N-Channel 100V 40A Tc 1.6W Ta Surface Mount PowerDI5060-8
立创商城:
DMNH10H028SPSQ-13
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MOSFET N-CH 100V 40A PWRDI5060-8
贸泽:
MOSFET 100V N-Ch Enh FET 175c 20Vgss 1.6W
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Trans MOSFET N-CH 100V 40A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 40A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R
DMNH10H028SPSQ-13中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 2.9 W
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 40A
上升时间 5.8 ns
输入电容Ciss 2245pF @50VVds
下降时间 4.8 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.6W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerDI-5060-8
外形尺寸
封装 PowerDI-5060-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free