DMG6301UDW-7

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DMG6301UDW-7概述

Trans MOSFET N-CH 25V 0.24A Automotive 6Pin SOT-363 T/R

Do you require the advantages of traditional transistors coupled with the switching benefits of power MOSFETs? Zetex"s power MOSFET can provide a solution. Its maximum power dissipation is 370 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging to allow for effective mounting and safe delivery. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.

DMG6301UDW-7中文资料参数规格
技术参数

通道数 2

漏源极电阻 3.8 Ω

极性 N-CH

耗散功率 370 mW

阈值电压 0.85 V

漏源极电压Vds 25 V

漏源击穿电压 25 V

连续漏极电流Ids 0.24A

上升时间 1.8 ns

输入电容Ciss 27.9pF @10VVds

额定功率Max 300 mW

下降时间 2.3 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-363-6

外形尺寸

封装 SOT-363-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

DMG6301UDW-7引脚图与封装图
DMG6301UDW-7引脚图
DMG6301UDW-7封装图
DMG6301UDW-7封装焊盘图
在线购买DMG6301UDW-7
型号: DMG6301UDW-7
制造商: Diodes 美台
描述:Trans MOSFET N-CH 25V 0.24A Automotive 6Pin SOT-363 T/R

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