DMN1033UCB4-7

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DMN1033UCB4-7概述

2个N沟道 12V 5.5A

Mosfet Array 2 N-Channel Dual Common Drain 1.45W Surface Mount U-WLB1818-4


立创商城:
2个N沟道 12V 5.5A


得捷:
MOSFET 2N-CH 12V U-WLB1818-4


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 12V Automotive 4-Pin UWLP T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 12V 4-Pin BGA T/R


DMN1033UCB4-7中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 12 V

上升时间 20 ns

额定功率Max 1.45 W

下降时间 52 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1450 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 U-WLB1818-4

外形尺寸

封装 U-WLB1818-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买DMN1033UCB4-7
型号: DMN1033UCB4-7
制造商: Diodes 美台
描述:2个N沟道 12V 5.5A

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