DMG1024UV-7

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DMG1024UV-7概述

二极管与整流器

二极管与整流器


得捷:
MOSFET 2N-CH 20V 1.38A SOT563


贸泽:
MOSFET MOSFET N-CHANNEL


艾睿:
As an alternative to traditional transistors, the DMG1024UV-7 power MOSFET from Diodes Zetex can be used to both amplify and switch electronic signals. Its maximum power dissipation is 530 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging so that components can be mounted effectively. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


Allied Electronics:
Dual N-Ch Enhancement MOSFET SOT-563


安富利:
Trans MOSFET N-CH 20V 1.38A 6-Pin SOT-563 T/R


富昌:
双 N-沟道 20 V 530 mW 736.6 pC 硅 表面贴装 Mosfet - SOT-563


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 20V 1.38A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.89A; 0.53W; SOT563


Verical:
Trans MOSFET N-CH 20V 1.38A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R


儒卓力:
**N+N CH MOS+ESD 20V 1,38A SOT563 **


Win Source:
MOSFET 2N-CH 20V 1.38A SOT563


DeviceMart:
MOSFET N-CH DUAL 20V SOT563


DMG1024UV-7中文资料参数规格
技术参数

额定功率 0.53 W

通道数 2

漏源极电阻 300 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 0.53 W

输入电容 60.67 pF

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 20 V

连续漏极电流Ids 1.38A

上升时间 7.4 ns

输入电容Ciss 60.67pF @16VVds

额定功率Max 530 mW

下降时间 12.3 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 530 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-563-6

外形尺寸

长度 1.7 mm

封装 SOT-563-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

DMG1024UV-7引脚图与封装图
DMG1024UV-7引脚图
DMG1024UV-7封装图
DMG1024UV-7封装焊盘图
在线购买DMG1024UV-7
型号: DMG1024UV-7
制造商: Diodes 美台
描述:二极管与整流器

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