DMP2100UFU-7

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DMP2100UFU-7概述

MOSFET 2P-CH 20V U-DFN2030-6

MOSFET - 阵列 2 P 沟道(双)共漏 20V 5.7A 900mW 表面贴装型


得捷:
MOSFET 2P-CH 20V U-DFN2030-6


艾睿:
Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET


DMP2100UFU-7中文资料参数规格
技术参数

漏源极电压Vds 20 V

输入电容Ciss 906pF @10VVds

额定功率Max 900 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 900 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 UDFN2030-6

外形尺寸

封装 UDFN2030-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买DMP2100UFU-7
型号: DMP2100UFU-7
制造商: Diodes 美台
描述:MOSFET 2P-CH 20V U-DFN2030-6
替代型号DMP2100UFU-7
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

DMP2100UFU-7

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DMP2100UFU-7和DMP2100UFU-13的区别

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