DIODES INC. DMG1029SV-7 双路场效应管, MOSFET, AEC-Q101, N和P, 500 mA, 60 V, 1.3 ohm, 10 V, 2.5 V
MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 60V 500mA,360mA 450mW 表面贴装型 SOT-563
得捷:
MOSFET N/P-CH 60V SOT563
立创商城:
DMG1029SV-7
贸泽:
MOSFET 60V Comp Pair ENH 1.7 Ohm 10V 500mA
e络盟:
双路场效应管, MOSFET, AEC-Q101, 互补N与P沟道, 60 V, 500 mA, 1.3 ohm, SOT-563, 表面安装
艾睿:
Make an effective common gate amplifier using this DMG1029SV-7 power MOSFET from Diodes Zetex. Its maximum power dissipation is 1000 mW. This N|P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.
Allied Electronics:
Compl. Pair Enhancement MOSFET SOT-563
TME:
Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 60/-60V; 0.4/-0.28A; 0.66W
Verical:
Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.36A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
Newark:
# DIODES INC. DMG1029SV-7 MOSFET, N & P CH, 60V, SOT-563
儒卓力:
**N+P CH FET 60V 0,5/0,36A SOT563 **
额定功率 0.66 W
针脚数 6
漏源极电阻 1.3 Ω
极性 N-Channel, P-Channel
耗散功率 450 mW
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 0.36A
上升时间 7.9 ns
正向电压Max 1.4 V
输入电容Ciss 50pF @25VVds
额定功率Max 660 mW
下降时间 11.6 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-563-6
封装 SOT-563-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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DMG1029SV-7 Diodes 美台 | 当前型号 | 当前型号 |
DMG1029SVQ-7 美台 | 功能相似 | DMG1029SV-7和DMG1029SVQ-7的区别 |