DMC2004VK-7

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DMC2004VK-7概述

DMC2004VK 系列 N & P 沟道 20 V 550mOhm 增强模式 场效应晶体管

DMC2 Series Dual N & P Ch 20 V 550mOhm Enhancement Mode Field Effect Transistor


得捷:
MOSFET N/P-CH 20V SOT-563


立创商城:
1个N沟道和1个P沟道 20V 530mA 670mA


贸泽:
MOSFET 400mW 20V


艾睿:
Looking for a component that can both amplify and switch between signals within your circuit? The DMC2004VK-7 power MOSFET from Diodes Zetex provides the solution. Its maximum power dissipation is 1000 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging to allow for effective mounting and safe delivery. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -65 °C and a maximum of 150 °C. This N|P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


Allied Electronics:
MOSFET N/P-Ch 20V 0.67A/0.53A SOT563


安富利:
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.67A/0.53A 6-Pin SOT-563 T/R


富昌:
DMC2004VK 系列 N & P 沟道 20 V 550mOhm 增强模式 场效应晶体管


TME:
Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.53/-0.67A; 0.4W


Verical:
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.67A/0.53A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R


儒卓力:
**N+P CH MOS+ESD 20V 0,67A SOT563 **


Win Source:
MOSFET N/P-CH 20V SOT-563


DeviceMart:
MOSFET COMPL PAIR SOT-563


DMC2004VK-7中文资料参数规格
技术参数

额定功率 0.4 W

极性 N+P

耗散功率 1 W

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 0.67A/0.53A

输入电容Ciss 150pF @16VVds

额定功率Max 400 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-563-6

外形尺寸

长度 1.6 mm

宽度 1.2 mm

高度 0.6 mm

封装 SOT-563-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买DMC2004VK-7
型号: DMC2004VK-7
制造商: Diodes 美台
描述:DMC2004VK 系列 N & P 沟道 20 V 550mOhm 增强模式 场效应晶体管
替代型号DMC2004VK-7
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

DMC2004VK-7

Diodes 美台

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AO5600E

万代半导体

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DMC2004VK-7和AO5600E的区别

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