DMC2004VK 系列 N & P 沟道 20 V 550mOhm 增强模式 场效应晶体管
DMC2 Series Dual N & P Ch 20 V 550mOhm Enhancement Mode Field Effect Transistor
得捷:
MOSFET N/P-CH 20V SOT-563
立创商城:
1个N沟道和1个P沟道 20V 530mA 670mA
贸泽:
MOSFET 400mW 20V
艾睿:
Looking for a component that can both amplify and switch between signals within your circuit? The DMC2004VK-7 power MOSFET from Diodes Zetex provides the solution. Its maximum power dissipation is 1000 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging to allow for effective mounting and safe delivery. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -65 °C and a maximum of 150 °C. This N|P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.
Allied Electronics:
MOSFET N/P-Ch 20V 0.67A/0.53A SOT563
安富利:
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.67A/0.53A 6-Pin SOT-563 T/R
富昌:
DMC2004VK 系列 N & P 沟道 20 V 550mOhm 增强模式 场效应晶体管
TME:
Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.53/-0.67A; 0.4W
Verical:
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.67A/0.53A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
儒卓力:
**N+P CH MOS+ESD 20V 0,67A SOT563 **
Win Source:
MOSFET N/P-CH 20V SOT-563
DeviceMart:
MOSFET COMPL PAIR SOT-563
额定功率 0.4 W
极性 N+P
耗散功率 1 W
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 0.67A/0.53A
输入电容Ciss 150pF @16VVds
额定功率Max 400 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-563-6
长度 1.6 mm
宽度 1.2 mm
高度 0.6 mm
封装 SOT-563-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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DMC2004VK-7 Diodes 美台 | 当前型号 | 当前型号 |
AO5600E 万代半导体 | 功能相似 | DMC2004VK-7和AO5600E的区别 |