DGD2106S8-13概述
DIODES INC. DGD2106S8-13 MOSFET/IGBT DRIVER, HALF BRIDGE, SOIC-8 新
半桥 栅极驱动器 IC 非反相 8-SO
得捷:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
贸泽:
Gate Drivers H-Bridge Gate Driver 290mA 600mA
e络盟:
MOSFET/IGBT DRIVER, HALF BRIDGE, SOIC-8
艾睿:
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin SO T/R
Newark:
# DIODES INC. DGD2106S8-13 MOSFET/IGBT DRIVER, HALF BRIDGE, SOIC-8 New
DGD2106S8-13中文资料参数规格
技术参数
电源电压DC 10.0V min
上升/下降时间 100ns, 35ns
输出接口数 2
针脚数 8
耗散功率 625 mW
下降时间Max 80 ns
上升时间Max 220 ns
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 625 mW
电源电压 10V ~ 20V
电源电压Max 20 V
电源电压Min 10 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17