DMHC3025LSD-13

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DMHC3025LSD-13概述

双 N/P 沟道 30 V 25 mΩ 11.7 nC 半桥 功率 Mosfet - SOIC-8

MOSFET - 阵列 2 个 N 通道和 2 个 P 通道(H 桥) 30V 6A,4.2A 1.5W 表面贴装型 8-SO


得捷:
MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SO


立创商城:
DMHC3025LSD-13


e络盟:
双路场效应管, MOSFET, AEC-Q101, 互补N与P沟道, 30 V, 6 A, 0.019 ohm, SOIC, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.2A Automotive 8-Pin SO T/R


Allied Electronics:
30V Enhancement MOSFET H-Bridge SOIC8


安富利:
Trans MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.2A 8-Pin SO T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.2A Automotive 8-Pin SO T/R


Verical:
Trans MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.2A 8-Pin SO T/R


Newark:
# DIODES INC.  DMHC3025LSD-13  MOSFET, AEC-Q101, DUAL N-CH & P-CH, 30V


儒卓力:
**H-Bridge MOS 30V 6A 25mOhm SO-8 **


Win Source:
MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SOIC


DMHC3025LSD-13中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.019 Ω

极性 Dual N-Channel, Dual P-Channel

耗散功率 1.5 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 6A/4.2A

输入电容Ciss 590pF @15VVds

额定功率Max 1.5 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

DMHC3025LSD-13引脚图与封装图
DMHC3025LSD-13引脚图
DMHC3025LSD-13封装焊盘图
在线购买DMHC3025LSD-13
型号: DMHC3025LSD-13
制造商: Diodes 美台
描述:双 N/P 沟道 30 V 25 mΩ 11.7 nC 半桥 功率 Mosfet - SOIC-8

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