双 N/P 沟道 30 V 25 mΩ 11.7 nC 半桥 功率 Mosfet - SOIC-8
MOSFET - 阵列 2 个 N 通道和 2 个 P 通道(H 桥) 30V 6A,4.2A 1.5W 表面贴装型 8-SO
得捷:
MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SO
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DMHC3025LSD-13
e络盟:
双路场效应管, MOSFET, AEC-Q101, 互补N与P沟道, 30 V, 6 A, 0.019 ohm, SOIC, 表面安装
艾睿:
Trans MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.2A Automotive 8-Pin SO T/R
Allied Electronics:
30V Enhancement MOSFET H-Bridge SOIC8
安富利:
Trans MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.2A 8-Pin SO T/R
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Trans MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.2A Automotive 8-Pin SO T/R
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Trans MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.2A 8-Pin SO T/R
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# DIODES INC. DMHC3025LSD-13 MOSFET, AEC-Q101, DUAL N-CH & P-CH, 30V
儒卓力:
**H-Bridge MOS 30V 6A 25mOhm SO-8 **
Win Source:
MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SOIC
针脚数 8
漏源极电阻 0.019 Ω
极性 Dual N-Channel, Dual P-Channel
耗散功率 1.5 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 6A/4.2A
输入电容Ciss 590pF @15VVds
额定功率Max 1.5 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1500 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99