DMN2010UDZ-7

DMN2010UDZ-7图片1
DMN2010UDZ-7概述

MOSFET 2N-CH 20V 11A U-DFN2535-6

MOSFET - 阵列 2 N 沟道(双)共漏 24V 11A 700mW 表面贴装型 U-DFN2535-6


得捷:
MOSFET 2N-CH 20V 11A U-DFN2535-6


安富利:
MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2535-6 T&R; 3K


DMN2010UDZ-7中文资料参数规格
技术参数

漏源极电压Vds 24 V

输入电容Ciss 2665pF @10VVds

额定功率Max 700 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 UDFN2535-6

外形尺寸

封装 UDFN2535-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买DMN2010UDZ-7
型号: DMN2010UDZ-7
制造商: Diodes 美台
描述:MOSFET 2N-CH 20V 11A U-DFN2535-6

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