MOSFET 2N-CH 20V 11A U-DFN2535-6
MOSFET - 阵列 2 N 沟道(双)共漏 24V 11A 700mW 表面贴装型 U-DFN2535-6
得捷: MOSFET 2N-CH 20V 11A U-DFN2535-6
安富利: MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2535-6 T&R; 3K
漏源极电压Vds 24 V
输入电容Ciss 2665pF @10VVds
额定功率Max 700 mW
安装方式 Surface Mount
封装 UDFN2535-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册