DMG1012UW-7

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DMG1012UW-7概述

N 沟道 20 V 1 A 0.45 Ω 表面贴装 增强模式 功率 MosFet - SOT-323

表面贴装型 N 通道 20 V 1A(Ta) 290mW(Ta) SOT-323


得捷:
MOSFET N-CH 20V 1A SOT323


立创商城:
N沟道 20V 1A


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 V, 1 A, 0.3 ohm, SOT-323, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 1A Automotive 3-Pin SOT-323 T/R


Allied Electronics:
MOSFET N-Channel 20V 1A SOT323


安富利:
Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-323 T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 20V 1A Automotive 3-Pin SOT-323 T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; 0.29W; SOT323


Verical:
Trans MOSFET N-CH 20V 1A Automotive 3-Pin SOT-323 T/R


儒卓力:
**N-CH MOS-FET+ESD 20V 1A SOT323 **


Win Source:
MOSFET N-CH 20V 1A SOT323


DMG1012UW-7中文资料参数规格
技术参数

额定功率 0.29 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.3 Ω

极性 N-CH

耗散功率 0.29 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 1A

上升时间 7.4 ns

输入电容Ciss 60.67pF @16VVds

额定功率Max 290 mW

下降时间 12.3 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 290 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SC-70-3

外形尺寸

封装 SC-70-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

DMG1012UW-7引脚图与封装图
DMG1012UW-7引脚图
DMG1012UW-7封装图
DMG1012UW-7封装焊盘图
在线购买DMG1012UW-7
型号: DMG1012UW-7
制造商: Diodes 美台
描述:N 沟道 20 V 1 A 0.45 Ω 表面贴装 增强模式 功率 MosFet - SOT-323
替代型号DMG1012UW-7
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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Diodes 美台

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