DMP4015SPSQ-13概述
P-沟道 40 V 11 mOhm 增强型 Mosfet -POWERDI® 5060-8
表面贴装型 P 通道 40 V 8.5A（Ta） 1.3W（Ta） PowerDI5060-8
得捷:
MOSFET P-CH 40V 8.5A PWRDI5060-8
立创商城:
P沟道 40V 8.5A
贸泽:
MOSFET 40V P-Ch Enh FET 25Vgss -100A 1.3W
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 40V 11A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R
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Trans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin PowerDI 5060 T/R
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P-沟道 40 V 11 mOhm 增强型 Mosfet -POWERDI® 5060-8
儒卓力:
**P-CH 40V 17A 11mOhm PwDI0560-8 **
DMP4015SPSQ-13中文资料参数规格
技术参数
极性 P-CH
耗散功率 1.3 W
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 11A
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 4234pF @20VVds
额定功率Max 1.3 W
下降时间 137.9 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2100 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 PowerDI-5060-8
外形尺寸
封装 PowerDI-5060-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99