DMG1016VQ-7

DMG1016VQ-7图片1
DMG1016VQ-7概述

MOSFET N/P-CH 20V SOT563

MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 20V 870mA,640mA 530mW 表面贴装型 SOT-563


得捷:
MOSFET N/P-CH 20V SOT563


艾睿:
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R


TME:
Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.087/-0.064A; 0.53W


DMG1016VQ-7中文资料参数规格
技术参数

额定功率 0.53 W

漏源极电压Vds 20 V

输入电容Ciss 60.67pF @16VVds

额定功率Max 530 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 530 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-563

外形尺寸

封装 SOT-563

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买DMG1016VQ-7
型号: DMG1016VQ-7
制造商: Diodes 美台
描述:MOSFET N/P-CH 20V SOT563

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