双N沟道共漏 20V 6.1A
MOSFET - 阵列 2 N 沟道(双)共漏 20V 6.1A 920mW 表面贴装型 U-DFN3030-8
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MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN
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双N沟道共漏 20V 6.1A
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Trans MOSFET N-CH 20V 6.1A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
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极性 N-CH
输入电容 143 pF
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 6.1A
上升时间 78 ns
输入电容Ciss 143pF @10VVds
额定功率Max 920 mW
下降时间 234 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 920 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 UDFN-8
封装 UDFN-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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