Trans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 6Pin SOT-26 T/R
Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 2 PNP - Pre-Biased Dual 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SOT-26
得捷:
TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT26
贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased 300MW 10KW 10KW
艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 6-Pin SOT-26 T/R
安富利:
Trans Digital BJT PNP 100mA 6-Pin SOT-26 T/R
Verical:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 6-Pin SOT-26 T/R
极性 PNP
耗散功率 0.3 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 30 @5mA, 5V
额定功率Max 300 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-23-6
长度 3 mm
宽度 1.6 mm
高度 1.1 mm
封装 SOT-23-6
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
DDA114EK-7-F Diodes 美台 | 当前型号 | 当前型号 |
DDA114EK-7 美台 | 完全替代 | DDA114EK-7-F和DDA114EK-7的区别 |