DMN3030LFG-7概述
DMN3030 系列 30 V 5.3 A N-沟道 增强型 Mosfet - PowerWDFN-8
表面贴装型 N 通道 5.3A（Ta） 900mW（Ta） PowerDI3333-8
立创商城:
DMN3030LFG-7
得捷:
MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI3333-8
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 8.6A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R
安富利:
MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI3333-8 T&R; 2K
Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 8.6A 8-Pin PowerDI EP T/R
DeviceMart:
MOSFET N-CH 30V PWRDI3333-8
Win Source:
MOSFET N-CH 30V PWRDI3333-8
DMN3030LFG-7中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 2.3 W
阈值电压 2.1 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 8.6A
上升时间 6.6 ns
正向电压Max 1 V
输入电容Ciss 751pF @10VVds
额定功率Max 900 mW
下降时间 6.3 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 900mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerDI-3333-8
外形尺寸
封装 PowerDI-3333-8
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC