DMG4N65CTI

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DMG4N65CTI概述

Trans MOSFET N-CH 650V 4A Automotive 3Pin3+Tab ITO-220AB Tube

N-Channel 650V 4A Tc 8.35W Ta


得捷:
MOSFET N-CH 650V 4A ITO-220AB


贸泽:
MOSFET N-CH MOSFET 650V 4A


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 4A Automotive 3-Pin3+Tab ITO-220AB Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 4A Automotive 3-Pin3+Tab ITO-220AB Tube


Win Source:
MOSFET N-CH 650V 4A ITO-220AB


DMG4N65CTI中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 8.35 W

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 4A

上升时间 13.8 ns

输入电容Ciss 900pF @25VVds

额定功率Max 8.35 W

下降时间 16 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 8.35W Ta

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 End of Life

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

DMG4N65CTI引脚图与封装图
DMG4N65CTI引脚图
DMG4N65CTI封装图
DMG4N65CTI封装焊盘图
在线购买DMG4N65CTI
型号: DMG4N65CTI
制造商: Diodes 美台
描述:Trans MOSFET N-CH 650V 4A Automotive 3Pin3+Tab ITO-220AB Tube
替代型号DMG4N65CTI
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

DMG4N65CTI

Diodes 美台

当前型号

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DMG4N65CT

美台

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