DMT10H010LPS-13概述
Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A Automotive 8Pin PowerDI T/R
表面贴装型 N 通道 100 V 9.4A（Ta），98A（Tc） 1.2W（Ta），139W（Tc） PowerDI5060-8
得捷:
MOSFET N-CH 100V 9.4A PWRDI5060
立创商城:
DMT10H010LPS-13
贸泽:
MOSFET 100V N-Ch Enh FET Low Rdson
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Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R
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Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 8-Pin PowerDI T/R
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Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 8-Pin PowerDI EP T/R
DMT10H010LPS-13中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 1.2 W
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 9.4A
上升时间 14.1 ns
输入电容Ciss 3000pF @50VVds
下降时间 22 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.2W Ta, 139W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerDI-5060-8
外形尺寸
封装 PowerDI-5060-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free