DMP1045U-7

DMP1045U-7图片1
DMP1045U-7图片2
DMP1045U-7图片3
DMP1045U-7图片4
DMP1045U-7图片5
DMP1045U-7图片6
DMP1045U-7图片7
DMP1045U-7图片8
DMP1045U-7图片9
DMP1045U-7图片10
DMP1045U-7图片11
DMP1045U-7图片12
DMP1045U-7图片13
DMP1045U-7概述

DMP1045U 系列 12 V 31 mOhm P 沟道 增强模式 Mosfet - SOT-23-3

表面贴装型 P 通道 4A(Ta) 800mW(Ta) SOT-23


得捷:
MOSFET P-CH 12V 4A SOT23


立创商城:
P沟道 12V 4A


贸泽:
MOSFET MOSFET BVDSS


艾睿:
Make an effective common gate amplifier using this DMP1045U-7 power MOSFET from Diodes Zetex. Its maximum power dissipation is 1300 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging to allow for effective mounting and safe delivery. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


Allied Electronics:
P-Channel Enhancement MOSFET SOT-23


安富利:
Trans MOSFET P-CH 12V 5.2A 3-Pin SOT-23 T/R


TME:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -3.1A; 0.8W; SOT23


Verical:
Trans MOSFET P-CH 12V 5.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


儒卓力:
**P-CH MOS-FET 4,3A 12V SOT23 **


Win Source:
MOSFET P-CH 12V 4A SOT23


DMP1045U-7中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 31 mΩ

极性 P-CH

耗散功率 800 mW

阈值电压 0.3 V

漏源极电压Vds 12 V

漏源击穿电压 12 V

连续漏极电流Ids 5.2A

上升时间 23.3 ns

输入电容Ciss 1357pF @10VVds

额定功率Max 800 mW

下降时间 106.9 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 800mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买DMP1045U-7
型号: DMP1045U-7
制造商: Diodes 美台
描述:DMP1045U 系列 12 V 31 mOhm P 沟道 增强模式 Mosfet - SOT-23-3

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台