DMN2008LFU-7

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DMN2008LFU-7概述

Trans MOSFET N-CH 20V 14.5A 6Pin UDFN EP T/R

Mosfet Array 2 N-Channel Dual Common Drain 20V 14.5A 1W Surface Mount U-DFN2030-6 Type B


得捷:
MOSFET 2N-CHA 20V 14.5A DFN2030


立创商城:
DMN2008LFU-7


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 14.5A 6-Pin UDFN EP T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 20V 14.5A 6-Pin UDFN EP T/R


DMN2008LFU-7中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 1.7 W

漏源极电压Vds 20 V

上升时间 653 ns

输入电容Ciss 1418pF @10VVds

额定功率Max 1 W

下降时间 1208 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1700 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 UDFN2030-6

外形尺寸

封装 UDFN2030-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买DMN2008LFU-7
型号: DMN2008LFU-7
制造商: Diodes 美台
描述:Trans MOSFET N-CH 20V 14.5A 6Pin UDFN EP T/R

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