DDTC114EUA-7-F

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DDTC114EUA-7-F概述

特性外延平面电路小片建设互补PNP类型有(DDTA)内置偏置电阻R1= R2无铅/ RoHS标准

集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO| \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO| 50V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC| 100mA/0.1A 基极输入电阻R1 Input ResistanceR1| 10KΩ/Ohm 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2| 10KΩ/Ohm 电阻比R1/R2 Resistance Ratio| 1 直流电流增益hFE DC Current GainhFE| 30 截止频率fT Transtion FrequencyfT| 250MHz 耗散功率Pc Power Dissipation| 0.2W/200mW Description & Applications| Features Epitaxial Planar Die Construction Complementary PNP Types AvailableDDTA Built-In Biasing Resistors, R1 = R2 Lead Free/RoHS Compliant 描述与应用| 特性 外延平面电路小片建设 互补PNP类型有(DDTA) 内置偏置电阻R1= R2 无铅/ RoHS标准

DDTC114EUA-7-F中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 100 mA

额定功率 0.2 W

极性 NPN

耗散功率 0.2 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 30 @5mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 30

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323-3

外形尺寸

长度 2.2 mm

宽度 1.35 mm

高度 1 mm

封装 SOT-323-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买DDTC114EUA-7-F
型号: DDTC114EUA-7-F
制造商: Diodes 美台
描述:特性外延平面电路小片建设互补PNP类型有(DDTA)内置偏置电阻R1= R2无铅/ RoHS标准
替代型号DDTC114EUA-7-F
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

DDTC114EUA-7-F

Diodes 美台

当前型号

当前型号

DDTC114ECA-7-F

美台

完全替代

DDTC114EUA-7-F和DDTC114ECA-7-F的区别

FJX3002RTF

飞兆/仙童

完全替代

DDTC114EUA-7-F和FJX3002RTF的区别

DDTC114YUA-7-F

美台

类似代替

DDTC114EUA-7-F和DDTC114YUA-7-F的区别

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