特性外延平面电路小片构建互补PNP类型有（DDTA）内置偏置电阻R1= R2
集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO| \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO| 50V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC| 100mA/0.1A 基极输入电阻R1 Input ResistanceR1| 47KΩ/Ohm 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2| 47KΩ/Ohm 电阻比R1/R2 Resistance Ratio| 1 直流电流增益hFE DC Current GainhFE| 68 截止频率fT Transtion FrequencyfT| 250MHz 耗散功率Pc Power Dissipation| 0.15W/150mW Description & Applications| Features Epitaxial Planar Die Construction Complementary PNP Types AvailableDDTA Built-In Biasing Resistors, R1 = R2 描述与应用| 特性 外延平面电路小片构建 互补PNP类型有（DDTA） 内置偏置电阻R1= R2
额定电压DC 50.0 V
额定电流 100 mA
额定功率 0.15 W
极性 NPN
耗散功率 150 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 68 @5mA, 5V
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 150 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-523-3
封装 SOT-523-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
DDTC144EE-7-F Diodes 美台 | 当前型号 | 当前型号 |
DDTC144EE-7 美台 | 完全替代 | DDTC144EE-7-F和DDTC144EE-7的区别 |
DTC144EE 罗姆半导体 | 功能相似 | DDTC144EE-7-F和DTC144EE的区别 |