DDC114TH-7

DDC114TH-7图片1
DDC114TH-7图片2
DDC114TH-7图片3
DDC114TH-7图片4
DDC114TH-7图片5
DDC114TH-7图片6
DDC114TH-7图片7
DDC114TH-7图片8
DDC114TH-7概述

2 个 NPN 预偏压式双 100mA 50V

NPN PRE-BIASED SMALL SIGNAL DUAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR

Features

•  Epitaxial Planar Die Construction

•  Complementary PNP Types Available DDA

•  Built-In Biasing Resistors

•  Lead Free By Design/RoHS Compliant Note 3

•  "Green" Device Note 4 and 5


得捷:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT563


立创商城:
2个NPN-预偏置 100mA 50V


艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 6-Pin SOT-563 T/R


安富利:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 6-Pin SOT-563 T/R


Verical:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 6-Pin SOT-563 T/R


Win Source:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT563


DDC114TH-7中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 0.15 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-563

外形尺寸

封装 SOT-563

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买DDC114TH-7
型号: DDC114TH-7
制造商: Diodes 美台
描述:2 个 NPN 预偏压式双 100mA 50V
替代型号DDC114TH-7
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

DDC114TH-7

Diodes 美台

当前型号

当前型号

EMH4T2R

罗姆半导体

类似代替

DDC114TH-7和EMH4T2R的区别

NSBC114YDXV6T1

安森美

功能相似

DDC114TH-7和NSBC114YDXV6T1的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台