DDA114EU-7-F

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DDA114EU-7-F概述

DDA114EU-7-F 双 PNP 数字晶体管, -100 mA, Vce=-50 V, 电阻比:10 kΩ, 6针 SOT-363封装

- 双极 BJT - 阵列 - 预偏置 2 个 PNP 预偏压式(双) 50V 100mA 250MHz 200mW 表面贴装型 SOT-363


得捷:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363


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Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PNP 200mW


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Trans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 6-Pin SOT-363 T/R


Win Source:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363


DDA114EU-7-F中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -100 mA

极性 PNP

耗散功率 0.2 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 30 @5mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 600

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-70-6

外形尺寸

长度 2.2 mm

宽度 1.35 mm

高度 1 mm

封装 SC-70-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买DDA114EU-7-F
型号: DDA114EU-7-F
制造商: Diodes 美台
描述:DDA114EU-7-F 双 PNP 数字晶体管, -100 mA, Vce=-50 V, 电阻比:10 kΩ, 6针 SOT-363封装
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