DMN10H170SK3-13

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DMN10H170SK3-13概述

DMN10H170SK3 系列 100 V 140 mOhm N 沟道 增强模式 Mosfet - TO-252-3

表面贴装型 N 通道 12A(Tc) 42W(Tc) TO-252-3


得捷:
MOSFET N-CH 100V 12A TO252-3


立创商城:
N沟道 100V 12A


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 12A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R


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Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin TO-252 T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 12A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R


儒卓力:
**N-CH 100V 12A 140mOhm TO252 **


Win Source:
MOSFET N-CH 100V 12A TO252


DMN10H170SK3-13中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 42 W

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 12A

上升时间 11.1 ns

输入电容Ciss 1167pF @25VVds

额定功率Max 42 W

下降时间 12.8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 42W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买DMN10H170SK3-13
型号: DMN10H170SK3-13
制造商: Diodes 美台
描述:DMN10H170SK3 系列 100 V 140 mOhm N 沟道 增强模式 Mosfet - TO-252-3

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