DGD2103MS8-13

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DGD2103MS8-13概述

MOSFET驱动器, 半桥, 10 V至20 V电源, 0.6 A输出, 35 ns延迟, SOIC-8

Half-Bridge Gate Driver IC 8-SO


得捷:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO


立创商城:
半桥 IGBT MOSFET 灌:290mA 拉:600mA


e络盟:
MOSFET驱动器, 半桥, 10 V至20 V电源, 0.6 A输出, 35 ns延迟, SOIC-8


艾睿:
Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SO T/R


DGD2103MS8-13中文资料参数规格
技术参数

上升/下降时间 70ns, 35ns

输出接口数 2

针脚数 8

耗散功率 625 mW

下降时间Max 90 ns

上升时间Max 170 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 625 mW

电源电压 10V ~ 20V

电源电压Max 20 V

电源电压Min 10 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买DGD2103MS8-13
型号: DGD2103MS8-13
制造商: Diodes 美台
描述:MOSFET驱动器, 半桥, 10 V至20 V电源, 0.6 A输出, 35 ns延迟, SOIC-8
替代型号DGD2103MS8-13
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

DGD2103MS8-13

Diodes 美台

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DGD2103AS8-13

美台

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DGD2103MS8-13和DGD2103AS8-13的区别

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