MOSFET驱动器, 半桥, 10 V至20 V电源, 0.6 A输出, 35 ns延迟, SOIC-8
Half-Bridge Gate Driver IC 8-SO
得捷:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
立创商城:
半桥 IGBT MOSFET 灌:290mA 拉:600mA
e络盟:
MOSFET驱动器, 半桥, 10 V至20 V电源, 0.6 A输出, 35 ns延迟, SOIC-8
艾睿:
Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SO T/R
上升/下降时间 70ns, 35ns
输出接口数 2
针脚数 8
耗散功率 625 mW
下降时间Max 90 ns
上升时间Max 170 ns
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 625 mW
电源电压 10V ~ 20V
电源电压Max 20 V
电源电压Min 10 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
封装 SOIC-8
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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DGD2103MS8-13 Diodes 美台 | 当前型号 | 当前型号 |
DGD2103AS8-13 美台 | 功能相似 | DGD2103MS8-13和DGD2103AS8-13的区别 |