DSS2515M-7B

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DSS2515M-7B概述

Trans GP BJT NPN 15V 0.5A 0.25W1/4W Automotive 3Pin DFN T/R

- 双极 BJT - 单 NPN 15 V 500 mA 250MHz 250 mW 表面贴装型 X1-DFN1006-3


得捷:
TRANS NPN 15V 0.5A 3DFN


立创商城:
NPN 15V 500mA


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transisto X1-DFN1006-3,10K


艾睿:
Use this versatile NPN DSS2515M-7B GP BJT from Diodes Zetex to design various electronic circuits. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 6 V. Its maximum power dissipation is 250 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging for effective mounting and safe delivery. It has a maximum collector emitter voltage of 15 V and a maximum emitter base voltage of 6 V. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.


安富利:
Trans GP BJT NPN 15V 0.5A 3-Pin DFN T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 15V 0.5A 3-Pin DFN T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN 15V 0.5A Automotive 3-Pin DFN T/R


Win Source:
TRANS NPN 15V 0.5A DFN1006-3


DeviceMart:
TRANS NPN 15V 500MA DFN1006-3


DSS2515M-7B中文资料参数规格
技术参数

频率 250 MHz

极性 NPN

耗散功率 250 mW

增益频宽积 250 MHz

击穿电压集电极-发射极 15 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 150 @100mA, 2V

额定功率Max 250 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 DFN1006-3

外形尺寸

封装 DFN1006-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买DSS2515M-7B
型号: DSS2515M-7B
制造商: Diodes 美台
描述:Trans GP BJT NPN 15V 0.5A 0.25W1/4W Automotive 3Pin DFN T/R

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