DDTD122TC-7-F

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DDTD122TC-7-F概述

NPN - 预偏压 500mA 50V

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SOT-23-3


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1个NPN-预偏置 500mA 50V


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DDTD122TC-7-F中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 500 mA

极性 NPN

耗散功率 0.2 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 500mA

最小电流放大倍数hFE 100 @5mA, 5V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 200 MHz

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买DDTD122TC-7-F
型号: DDTD122TC-7-F
制造商: Diodes 美台
描述:NPN - 预偏压 500mA 50V
替代型号DDTD122TC-7-F
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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Diodes 美台

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