DST857BDJ-7

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DST857BDJ-7概述

Trans GP BJT PNP 45V 0.1A Automotive 6Pin SOT-963 T/R

Add switching and amplifying capabilities to your electronic circuit with this PNP GP BJT from Zetex. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 300 mW. Tape and reel packaging will encase the product during shipment, ensuring safe delivery and enabling quick mounting of components. It has a maximum collector emitter voltage of 45 V and a maximum emitter base voltage of 5 V. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.

DST857BDJ-7中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

耗散功率 0.3 W

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V

额定功率Max 300 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-963

外形尺寸

封装 SOT-963

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买DST857BDJ-7
型号: DST857BDJ-7
制造商: Diodes 美台
描述:Trans GP BJT PNP 45V 0.1A Automotive 6Pin SOT-963 T/R
替代型号DST857BDJ-7
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