DMN63D8LW-7

DMN63D8LW-7图片1
DMN63D8LW-7概述

MOSFET 30V N-Ch Enh FET 20Vgss 300mA 1.2A

表面贴装型 N 通道 380mA(Ta) 300mW(Ta) SOT-323


得捷:
MOSFET N-CH 30V 380MA SOT323


立创商城:
DMN63D8LW-7


贸泽:
MOSFET 30V N-Ch Enh FET 20Vgss 300mA 1.2A


艾睿:
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 0.38A 3-Pin SOT-323 T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 0.38A SOT323


DMN63D8LW-7中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 0.42 W

输入电容 23.2 pF

漏源极电压Vds 30 V

上升时间 3.9 ns

输入电容Ciss 23.2pF @25VVds

下降时间 16.7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323-3

外形尺寸

封装 SOT-323-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买DMN63D8LW-7
型号: DMN63D8LW-7
制造商: Diodes 美台
描述:MOSFET 30V N-Ch Enh FET 20Vgss 300mA 1.2A

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