DDA122TU-7-F概述
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363
Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 2 PNP - Pre-Biased Dual 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount SOT-363
得捷:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363
艾睿:
Trans Digital BJT PNP 40V 100mA 6-Pin SOT-363 T/R
安富利:
Trans Digital BJT PNP 40V 100mA 6-Pin SOT-363 T/R
DDA122TU-7-F中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 200 MHz
耗散功率Max 200 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363
外形尺寸
高度 1 mm
封装 SOT-363
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free