DSS4160FDB-7

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DSS4160FDB-7概述

TRANS NPH U-DFN2020-6

Bipolar BJT Transistor Array 2 NPN Dual 60V 1A 175MHz 405mW Surface Mount U-DFN2020-6 Type B


得捷:
TRANS NPH U-DFN2020-6


艾睿:
Trans GP BJT NPN 60V 1A 2470mW 6-Pin UDFN EP T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN 60V 1A 2470mW 6-Pin UDFN EP T/R


DSS4160FDB-7中文资料参数规格
技术参数

频率 175 MHz

耗散功率 2.47 W

击穿电压集电极-发射极 60 V

最小电流放大倍数hFE 150 @500mA, 2V

额定功率Max 405 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2470 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 uDFN-6

外形尺寸

封装 uDFN-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买DSS4160FDB-7
型号: DSS4160FDB-7
制造商: Diodes 美台
描述:TRANS NPH U-DFN2020-6

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