双极晶体管 - 预偏置 200MW 10K
Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SOT-23-3
得捷:
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
贸泽:
双极晶体管 - 预偏置 200MW 10K
艾睿:
Trans Digital BJT NPN 40V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
安富利:
Trans Digital BJT NPN 40V 500mA 3-Pin SOT-23 T/R
Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 40V 500mA 3-Pin SOT-23 T/R
Verical:
Trans Digital BJT NPN 40V 500mA Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
极性 NPN
耗散功率 0.2 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 500mA
最小电流放大倍数hFE 56 @50mA, 5V
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 200 MHz
耗散功率Max 200 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 3.05 mm
宽度 1.4 mm
高度 1 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
DDTD114GC-7-F Diodes 美台 | 当前型号 | 当前型号 |
DDTD114GC-7 美台 | 功能相似 | DDTD114GC-7-F和DDTD114GC-7的区别 |