DDTC115ECA-7

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DDTC115ECA-7概述

特性外延平面电路小片构建互补PNP类型有(DDTA)内置偏置电阻R1= R2

集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO| \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO| 50V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC| 100mA/0.1A 基极输入电阻R1 Input ResistanceR1| 100KΩ/Ohm 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2| 100KΩ/Ohm 电阻比R1/R2 Resistance Ratio| 1 直流电流增益hFE DC Current GainhFE| 82 截止频率fT Transtion FrequencyfT| 250MHz 耗散功率Pc Power Dissipation| 0.2W/200mW Description & Applications| Features Epitaxial Planar Die Construction Complementary PNP Types AvailableDDTA Built-In Biasing Resistors, R1 = R2 描述与应用| 特性 外延平面电路小片构建 互补PNP类型有(DDTA) 内置偏置电阻R1= R2

DDTC115ECA-7中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 100 mA

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 82 @5mA, 5V

额定功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买DDTC115ECA-7
型号: DDTC115ECA-7
制造商: Diodes 美台
描述:特性外延平面电路小片构建互补PNP类型有(DDTA)内置偏置电阻R1= R2
替代型号DDTC115ECA-7
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

DDTC115ECA-7

Diodes 美台

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DDTC115ECA-7-F

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完全替代

DDTC115ECA-7和DDTC115ECA-7-F的区别

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