DDTC113TE-7-F

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DDTC113TE-7-F概述

Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3Pin SOT-523 T/R

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount SOT-523


得捷:
TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523


贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased 150MW 1K


艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-523 T/R


安富利:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SOT-523 T/R


Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-523 T/R


Verical:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-523 T/R


Win Source:
TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523


DeviceMart:
TRANS PREBIASED NPN 150MW SOT523


DDTC113TE-7-F中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 100 mA

极性 NPN

耗散功率 0.15 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 600

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-523-3

外形尺寸

长度 1.6 mm

宽度 0.8 mm

高度 0.75 mm

封装 SOT-523-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买DDTC113TE-7-F
型号: DDTC113TE-7-F
制造商: Diodes 美台
描述:Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3Pin SOT-523 T/R
替代型号DDTC113TE-7-F
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DDTC113TE-7-F和DDTC113TE-7的区别

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