DDTD122TC-7

DDTD122TC-7图片1
DDTD122TC-7图片2
DDTD122TC-7概述

TRANS PREBIAS NPN 200mW SOT23-3

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT


得捷:
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3


贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased 200MW 0.22K


艾睿:
Trans Digital BJT NPN 40V 500mA Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 40V 500mA 3-Pin SOT-23 T/R


DDTD122TC-7中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 500 mA

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 500mA

最小电流放大倍数hFE 100 @5mA, 5V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3.05 mm

宽度 1.4 mm

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买DDTD122TC-7
型号: DDTD122TC-7
制造商: Diodes 美台
描述:TRANS PREBIAS NPN 200mW SOT23-3
替代型号DDTD122TC-7
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

DDTD122TC-7

Diodes 美台

当前型号

当前型号

DDTD122TC-7-F

美台

类似代替

DDTD122TC-7和DDTD122TC-7-F的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台