Trans MOSFET N-CH 30V 1A 6Pin SOT-363 T/R
MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 30V 1A 320mW 表面贴装型 SOT-363
得捷:
MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363
贸泽:
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 30Vdss 20Vgss
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 1A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
Allied Electronics:
MOSFET Dual N-Ch 30V 1A Enhanc. SOT363
安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 1A 6-Pin SOT-363 T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 1A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
儒卓力:
**N/N-CH 30V 1A 190mOhm SOT363 **
通道数 2
漏源极电阻 190 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 0.4 W
阈值电压 2.8 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 1A
上升时间 8.9 ns
正向电压Max 1.2 V
输入电容Ciss 87pF @20VVds
额定功率Max 320 mW
下降时间 15.6 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 400 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363-6
封装 SOT-363-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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DMN3190LDW-13 Diodes 美台 | 当前型号 | 当前型号 |
DMN3190LDW-7 美台 | 功能相似 | DMN3190LDW-13和DMN3190LDW-7的区别 |