DMN3190LDW-13

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DMN3190LDW-13概述

Trans MOSFET N-CH 30V 1A 6Pin SOT-363 T/R

MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 30V 1A 320mW 表面贴装型 SOT-363


得捷:
MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363


贸泽:
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 30Vdss 20Vgss


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 1A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R


Allied Electronics:
MOSFET Dual N-Ch 30V 1A Enhanc. SOT363


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 1A 6-Pin SOT-363 T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 1A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R


儒卓力:
**N/N-CH 30V 1A 190mOhm SOT363 **


DMN3190LDW-13中文资料参数规格
技术参数

通道数 2

漏源极电阻 190 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 0.4 W

阈值电压 2.8 V

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

连续漏极电流Ids 1A

上升时间 8.9 ns

正向电压Max 1.2 V

输入电容Ciss 87pF @20VVds

额定功率Max 320 mW

下降时间 15.6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 400 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-363-6

外形尺寸

封装 SOT-363-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买DMN3190LDW-13
型号: DMN3190LDW-13
制造商: Diodes 美台
描述:Trans MOSFET N-CH 30V 1A 6Pin SOT-363 T/R
替代型号DMN3190LDW-13
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

DMN3190LDW-13

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