双极晶体管 - 预偏置 150MW 0.22K 10K
Pre-Biased Bipolar Transistor BJT
得捷:
TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT523
贸泽:
双极晶体管 - 预偏置 150MW 0.22K 10K
艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SOT-523 T/R
安富利:
Trans Digital BJT PNP 100mA 3-Pin SOT-523 T/R
Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 100mA 3-Pin SOT-523 T/R
额定电压DC -50.0 V
额定电流 -100 mA
极性 PNP
耗散功率 150 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 56 @10mA, 5V
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 200 MHz
耗散功率Max 150 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-523-3
长度 1.6 mm
宽度 0.8 mm
高度 0.75 mm
封装 SOT-523-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
DDTA122LE-7-F Diodes 美台 | 当前型号 | 当前型号 |
DDTA122LE-7 美台 | 完全替代 | DDTA122LE-7-F和DDTA122LE-7的区别 |