DMG6602SVTQ-7

DMG6602SVTQ-7图片1
DMG6602SVTQ-7图片2
DMG6602SVTQ-7图片3
DMG6602SVTQ-7图片4
DMG6602SVTQ-7图片5
DMG6602SVTQ-7图片6
DMG6602SVTQ-7图片7
DMG6602SVTQ-7图片8
DMG6602SVTQ-7图片9
DMG6602SVTQ-7概述

DMG6602SVTQ-7 编带

Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.4A, 2.8A 840mW Surface Mount TSOT-26


得捷:
MOSFET N/P-CH 30V TSOT26


立创商城:
DMG6602SVTQ-7


贸泽:
MOSFET 30V Vds 20V Vgs Complmtry Enh FET


艾睿:
Looking for a component that can both amplify and switch between signals within your circuit? The DMG6602SVTQ-7 power MOSFET from Diodes Zetex provides the solution. Its maximum power dissipation is 1270 mW. This N|P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.


Verical:
Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.4A/2.8A Automotive 6-Pin TSOT-26 T/R


儒卓力:
**N+P-CH 30V 3,4/-2,8A 60/95mOhm **


DMG6602SVTQ-7中文资料参数规格
技术参数

针脚数 6

漏源极电阻 0.038 Ω

极性 N+P

耗散功率 1.27 W

阈值电压 2.3 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 3.4A/2.8A

输入电容Ciss 400pF @15VVds

额定功率Max 840 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1270 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSOT-23-6

外形尺寸

封装 TSOT-23-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买DMG6602SVTQ-7
型号: DMG6602SVTQ-7
制造商: Diodes 美台
描述:DMG6602SVTQ-7 编带

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台