DDTD114GC-7

DDTD114GC-7中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 500mA

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23

外形尺寸

封装 SOT-23

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买DDTD114GC-7
型号: DDTD114GC-7
制造商: Diodes 美台
描述:Transistors BJT - Single, Pre-Biased
替代型号DDTD114GC-7
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

DDTD114GC-7

Diodes 美台

当前型号

当前型号

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美台

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