DDTC113TE-7

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DDTC113TE-7概述

双极晶体管 - 预偏置 150MW 1KW

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT


得捷:
TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523


贸泽:
双极晶体管 - 预偏置 150MW 1KW


艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-523 T/R


Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW Automotive 3-Pin SOT-523 T/R


DDTC113TE-7中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 100 mA

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 600

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-523-3

外形尺寸

长度 1.6 mm

宽度 0.8 mm

高度 0.75 mm

封装 SOT-523-3

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Cut Tape CT, Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买DDTC113TE-7
型号: DDTC113TE-7
制造商: Diodes 美台
描述:双极晶体管 - 预偏置 150MW 1KW
替代型号DDTC113TE-7
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

DDTC113TE-7

Diodes 美台

当前型号

当前型号

DDTC113TE-7-F

美台

完全替代

DDTC113TE-7和DDTC113TE-7-F的区别

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