Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive 6Pin SOT-363 T/R
MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 60V 350mA 320mW 表面贴装型 SOT-363
得捷:
MOSFET 2N-CH 60V 0.35A
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DMN62D0UDW-7
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MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A
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Win Source:
MOSFET 2N-CH 60V 0.35A
极性 N-CH
耗散功率 410 mW
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 0.35A
上升时间 2.5 ns
输入电容Ciss 32pF @30VVds
额定功率Max 320 mW
下降时间 12.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 320 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363-6
封装 SOT-363-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
DMN62D0UDW-7 Diodes 美台 | 当前型号 | 当前型号 |
DMN62D0UDW-13 美台 | 类似代替 | DMN62D0UDW-7和DMN62D0UDW-13的区别 |