DMN66D0LDW 系列 60 V 115 mA 5 Ohm 双 N-沟道 增强型 Mosfet - SOT-363
最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage | 60V
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最大栅源极电压Vgs±
Gate-Source Voltage | 20V
最大漏极电流Id
Drain Current | 115MA
源漏极导通电阻Rdson
FET Drain-Source On-State Resistance | VGS = 5.0V, ID = 0.115A 6Ω
开启电压Vgs(th)
Gate-Source Threshold Voltage | 2V
耗散功率Pd
Power Dissipation | 250MW
描述与应用
Description & Applications | | •双N沟道MOSFET | •低导通电阻 | •低栅极阈值电压 | •低输入电容 | •开关速度快 | •小型表面贴装封装 | •ESD保护门,1KV(HBM) | •无铅/符合RoHS标准(注2) | •符合AEC-Q101标准的高可靠性
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极性 N-CH
耗散功率 0.25 W
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 0.115A
输入电容Ciss 23pF @25VVds
额定功率Max 250 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 250 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363-6
封装 SOT-363-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
ECCN代码 EAR99