DDTA115ECA-7-F参数规格_中文资料_数据手册PDF

DDTA115ECA-7-F概述

DDTA 系列 PNP 50 V 200 mW 预偏置小信号晶体管 - SOT-23-3

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT

得捷:
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

安富利:
Trans Digital BJT PNP 100mA 3-Pin SOT-23 T/R

Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 100mA 3-Pin SOT-23 T/R

DDTA115ECA-7-F中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -100 mA

极性 PNP

耗散功率 200 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 82 @5mA, 5V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买DDTA115ECA-7-F

型号： DDTA115ECA-7-F

制造商： Diodes 美台

描述：DDTA 系列 PNP 50 V 200 mW 预偏置小信号晶体管 - SOT-23-3

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替代型号DDTA115ECA-7-F

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